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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种二硫化钼/二硼化钨纳米复合多层薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117187764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311162151.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种二硫化钼/二硼化钨纳米复合多层薄膜及其制备方法与应用是由任思明;王立平;高臻荣;王海新;李金龙设计研发完成，并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二硫化钼/二硼化钨纳米复合多层薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二硫化钼二硼化钨纳米复合多层薄膜及其制备方法与应用，所述二硫化钼二硼化钨纳米复合多层薄膜采用非平衡磁控溅射技术，包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛二硫化钼二硼化钨多层梯度过渡层和二硫化钼二硼化钨多层掺杂层，获得二硫化钼二硼化钨纳米复合多层薄膜。本发明的二硫化钼二硼化钨纳米复合多层薄膜具有良好的基底结合强度、硬度以及高的硬弹比，主体相二硫化钼沿002晶面平行基体择优生长，大幅提升了二硫化钼的耐湿热和耐高温氧化性能，在大气常温和高温环境下均展现出优异的摩擦磨损性能，能满足航空航天和核能机械关键部件在苛刻环境下的润滑性能稳定及长寿命服役要求。

本发明授权一种二硫化钼/二硼化钨纳米复合多层薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种二硫化钼二硼化钨纳米复合多层薄膜，采用非平衡磁控溅射技术，包括在其厚度方向上依次沉积钛过渡层、钛二硫化钼二硼化钨梯度过渡层和二硫化钼二硼化钨纳米复合多层； 施加于钛靶上的靶电流从工作电流3.0~5.0 A逐渐减小至0，二硫化钼的靶电流逐渐从0增加至工作电流1.6 A，施加于二硼化钨的靶电流从0逐渐增加至工作电流0.4 A~1.2 A，基体偏压为‑50~‑70 V，工作气体流量为12~16 sccm，腔体温度为80~120 ℃，反应腔室压强为0.1~0.4 Pa，沉积时间为1200~1800 s； 施加于二硫化钼靶的靶电流为1.6 A；施加于二硼化钨靶的靶电流为0.4 A或0.6 A或0.8 A或1.0 A或1.2 A，基体偏压为‑50~‑70 V，控制转架转速为2转，工作气体流量为12~16 sccm，基体温度为80~120 ℃，反应腔室压强为0.1~0.4 Pa，沉积时间为6000~8000 s； 一个调制周期内的二硫化钼二硼化钨总厚度小于10 nm，且采用的非平衡磁控溅射技术使得具有纳米尺寸效应的二硫化钼和二硼化钨之间的相互扩散作用，促使二硫化钼层和二硼化钨层之间的界面相互融合，获得的薄膜的界面结合良好。

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