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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利通过优化单面研削机砂轮更换步骤减少硅片缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117207071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311215047.5，技术领域涉及：B24B53/06；该发明授权通过优化单面研削机砂轮更换步骤减少硅片缺陷的方法是由薛轶设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本通过优化单面研削机砂轮更换步骤减少硅片缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过优化单面研削机砂轮更换步骤减少硅片缺陷的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：单面研削机关机后先更换冷却水。第二步：单面研削机开机，接着通过驱动机械臂上的吸附盘吸取打磨板。第三步：驱动机械臂驱动打磨板与单面研削机衔接。第四步：输入新砂轮尺高，接着拆卸旧砂轮并清洗挡板。第五步：安装新砂轮，并通过打磨板打磨新砂轮。第六步：在硅片托盘上放置硅片，试打磨一轮。在拆卸砂轮之前先将机台的两个台面用干净的大小如台面的打磨板用真空吸附，使得在拆卸砂轮清洗砂轮装置才不会有硅屑落到台面上，附着在台面上影响硅片品质。

本发明授权通过优化单面研削机砂轮更换步骤减少硅片缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过优化单面研削机砂轮更换步骤减少硅片缺陷的方法，其特征在于：单面研削机砂轮结构包括硅片托盘6，所述的硅片托盘6上方设有砂轮转轴4，所述的砂轮转轴4下端与硅片托盘6间设有砂轮5，所述的砂轮5侧边设有打磨板3，所述的打磨板3后端设有驱动机械臂1，所述的驱动机械臂1与打磨板3间设有吸附盘2； 通过优化单面研削机砂轮更换步骤减少硅片缺陷的方法，包括如下操作步骤： 第一步：单面研削机关机后先更换冷却水； 第二步：单面研削机开机，接着通过驱动机械臂1上的吸附盘2吸取打磨板3； 在拆卸砂轮之前先将机台的两个台面用干净的大小如台面一般的打磨板3用吸附盘2进行真空吸附； 第三步：驱动机械臂1驱动打磨板3与单面研削机衔接； 第四步：输入新砂轮5尺高，接着拆卸旧砂轮5并清洗挡板； 在拆卸砂轮过程中硅屑或砂轮中金刚石颗粒会由于打磨板3的存在隔离于台面之外，防止其附着于台面从而影响硅片品质； 第五步：安装新砂轮5，并通过打磨板3打磨新砂轮5； 第六步：在硅片托盘6上放置硅片，试打磨一轮。

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