上海华力微电子有限公司姚邵康获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利有源区空气间隙的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117219570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210597596.2，技术领域涉及：H01L21/764；该发明授权有源区空气间隙的制造方法是由姚邵康;王奇伟;陈昊瑜设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本有源区空气间隙的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有源区空气间隙的制造方法，包括：步骤一、进行字线刻蚀在半导体衬底上形成多根字线结构，各字线结构跨越各场氧和各有源区。步骤二、在字线结构的侧面自对准形成保护侧墙。步骤三、采用各向同性刻蚀对场氧进行刻蚀，使字线结构覆盖区域内和覆盖区域外的场氧的顶部表面都降低并从而在有源区之间形成有源区空气间隙，字线结构跨越有源区空气间隙。步骤四、去除所述保护侧墙。本发明能很好的去除字线结构覆盖区域下方的场氧并从而形成有源区空气间隙且不会对字线结构产生损伤，能降低有源区之间的耦合电容，改善串扰，工艺简单和容易实现。
本发明授权有源区空气间隙的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有源区空气间隙的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、进行字线刻蚀在半导体衬底上形成多根字线结构，在所述半导体衬底上形成有多个场氧并由所述场氧隔离出多个有源区，各所述字线结构跨越各所述场氧和各所述有源区； 步骤二、在所述字线结构的侧面自对准形成保护侧墙，所述保护侧墙的材料和所述场氧具有不同刻蚀速率； 步骤三、采用各向同性刻蚀对所述场氧进行刻蚀，使所述字线结构覆盖区域内和覆盖区域外的所述场氧的顶部表面都降低并从而在所述有源区之间形成有源区空气间隙，所述字线结构跨越所述有源区空气间隙；在所述各向同性刻蚀中，所述保护侧墙的刻蚀速率低于所述场氧的刻蚀速率；所述各向同性刻蚀完成后所述保护侧墙保留在所述字线结构的侧面从而对所述字线结构进行保护； 步骤四、去除所述保护侧墙。
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