福建兆元光电有限公司马野获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种P-EBL层及其GaN基外延结构以及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310959889.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种P-EBL层及其GaN基外延结构以及生长方法是由马野;宋水燕;刘恒山;林灿煌设计研发完成，并于2023-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种P-EBL层及其GaN基外延结构以及生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种P‑EBL层及其外延结构以及生长方法。该GaN基外延结构，包括依次生长于衬底上的buffer层、UGaN层、NGaN层、应力释放层和多量子阶有源区层，所述多量子阶有源区层上还具有依次生长的低温P型GaN层、P‑EBL层和高温P型GaN层。本发明通过在低温P型GaN层插入一层不同源不同浓度掺杂的阶段式P‑EBL层，能够极大地提升LED的电子浓度和空穴浓度，并且分布均匀，能够有效地抑制电子漏电流，减缓效率衰减，从而达到提高亮度的目的。
本发明授权一种P-EBL层及其GaN基外延结构以及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基外延结构，包括依次生长于衬底上的buffer层、UGaN层、NGaN层、应力释放层和多量子阶有源区层，其特征在于，所述多量子阶有源区层上还具有依次生长的低温P型GaN层、P‑EBL层和高温P型GaN层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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