中物院成都科学技术发展中心刘显波获国家专利权
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龙图腾网获悉中物院成都科学技术发展中心申请的专利一种低介质损耗陶瓷粉体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117645476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311509377.5，技术领域涉及：C04B35/48；该发明授权一种低介质损耗陶瓷粉体及其制备方法是由刘显波;刘彤;李寅川;李绍敏;王正上;崔旭东设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低介质损耗陶瓷粉体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种低介质损耗陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为ZnxMg1‑xZrO3‑CaZrO3。改进制备工艺，通过添加烧结助剂和使用微波烧结，提高陶瓷的致密性，使基体的气孔减少、晶粒尺寸分布更均匀，从而提高微波介质陶瓷的品质因数。
本发明授权一种低介质损耗陶瓷粉体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低介质损耗陶瓷粉体，其特征在于：该陶瓷粉体的化学表达式为0.95ZnxMg1‑xZrO3‑0.05CaZrO3； 由如下方法步骤制备得到： S1.将MgO、ZnO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级ZnxMg1‑xZrO3粉体； S2.将CaO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级CaZrO3粉体； S3.将一级ZnxMg1‑xZrO3粉体和一级CaZrO3粉体以及烧结助剂混合并再次进行球磨，再次球磨后干燥过筛，烧结后得到陶瓷粉体； 所述烧结助剂为0.5‑4wt %的B2O3； 所述一级ZnxMg1‑xZrO3粉体和一级CaZrO3粉体摩尔比为0.95:0.05； 所述一级ZnxMg1‑xZrO3粉体x的取值为0.01‑0.07。
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