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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种氧化孔径光栅的边发射单模激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117767112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410079839.2，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权一种氧化孔径光栅的边发射单模激光器及其制备方法是由喻颖;丁正卿;余思远设计研发完成，并于2024-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化孔径光栅的边发射单模激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种氧化孔径光栅的边发射单模激光器及其制备方法，边发射单模激光器包括顶电极层、第一接触层、第一限制层、第一氧化层、有源层、第二氧化层、第二限制层、第二接触层和底电极层，氧化孔径光栅的边发射单模激光器的波导模式被第一氧化层和第二氧化层形成单模的出光孔径限制，氧化孔径光栅由外部刻蚀光栅向内传递，自发形成周期性折射率调制，氧化光栅形貌通过外部刻蚀光栅向脊波导中心传递，对刻蚀深度不敏感，周期性氧化孔径布拉格光栅限制了电流注入窗口，使得器件电流注入效率高、漏电流小，各向同性的氧化过程使得氧化波导具有更低的散射损耗，有利于提高边发射单模激光器性能。

本发明授权一种氧化孔径光栅的边发射单模激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化孔径光栅的边发射单模激光器，其特征在于，所述氧化孔径光栅的边发射单模激光器的结构自上而下包括顶电极层111、第一接触层112、第一限制层113、第一氧化层114、有源层121、第二氧化层131、第二限制层132、第二接触层133和底电极层134，所述氧化孔径光栅的边发射单模激光器的波导模式被所述第一氧化层114和第二氧化层131形成单模的出光孔径311限制，所述氧化孔径光栅211由外部刻蚀光栅向内传递，自发形成周期性折射率调制； 所述边发射单模激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、在具有氧化层结构的激光器外延衬底上进行光刻，显影后得到刻蚀光栅的光刻胶图形； S2、对光刻胶图形进行刻蚀与去胶，刻蚀深度依次超过激光器外延结构的第一接触层112、第一限制层113、第一氧化层114、有源层121以及第二氧化层131所在深度，露出氧化层窗口； S3、对S2得到的刻蚀图形进行湿法氧化，形成氧化孔径限制波导以及周期性氧化孔径的布拉格光栅结构； S4、对步骤S3中的湿法氧化过程进行数值模拟，得到氧化孔径光栅的全部量化参数，定量地用于单模激光器的光栅耦合系数分析计算。

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