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龙图腾网获悉东北大学申请的专利基于连续渗硅法制备高硅钢薄带的SiCl4稳定蒸发供气装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117966084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410150537.X，技术领域涉及：C23C10/08；该发明授权基于连续渗硅法制备高硅钢薄带的SiCl4稳定蒸发供气装置是由刘振宇;毛宇奇;吉祥;李成刚;张维娜;马金钰;任彦松设计研发完成，并于2024-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于连续渗硅法制备高硅钢薄带的SiCl4稳定蒸发供气装置在说明书摘要公布了：基于连续渗硅法制备高硅钢薄带的SiCl4稳定蒸发供气装置，属于高硅钢制备技术领域，包括SiCl4蒸发罐、恒温水浴箱、SiCl4补液罐、惰性气体输入管、SiCl4补液管及压力平衡管；SiCl4蒸发罐浸没于恒温水浴箱内；SiCl4补液罐位于SiCl4蒸发罐上方，SiCl4补液罐的罐底出液口通过SiCl4补液管与SiCl4蒸发罐1内部相导通，SiCl4补液罐的罐顶气压平衡口通过压力平衡管与SiCl4蒸发罐内部相导通，压力平衡管的下端管口与SiCl4蒸发罐内部的SiCl4液体的上限高度液面相平齐；SiCl4蒸发罐内的压力平衡管外侧同轴套装有液面波动隔离套管；压力平衡管下端管口与SiCl4液体液面的升降动态配合，实现SiCl4蒸发罐内SiCl4液体的动态补液，通过动态补液实现SiCl4液体液面的持续稳定，具有结构简单、易操作、安全性高、造价低廉的特点。

本发明授权基于连续渗硅法制备高硅钢薄带的SiCl4稳定蒸发供气装置在权利要求书中公布了：1.一种基于连续渗硅法制备高硅钢薄带的SiCl4稳定蒸发供气装置，其特征在于：包括SiCl4蒸发罐、恒温水浴箱、SiCl4补液罐、惰性气体输入管、SiCl4补液管及压力平衡管；所述SiCl4蒸发罐浸没置于恒温水浴箱内；所述SiCl4补液罐位于SiCl4蒸发罐上方，SiCl4补液罐的罐底出液口通过SiCl4补液管与SiCl4蒸发罐1内部相导通，SiCl4补液罐的罐顶气压平衡口通过压力平衡管与SiCl4蒸发罐内部相导通，压力平衡管的下端管口与SiCl4蒸发罐内部的SiCl4液体的上限高度液面相平齐；所述惰性气体输入管一端接入惰性气体供源，惰性气体输入管另一端与SiCl4蒸发罐内部相导通；所述SiCl4蒸发罐的罐体采用圆柱筒型结构，罐体顶部配置有圆锥型封盖，封盖与罐体之间通过法兰结构密封连接，封盖锥顶中心为混合气输出口，混合气输出口接入钢薄带连续渗硅处理设备，在混合气输出口与钢薄带连续渗硅处理系统的连接管路上安装有混合气输出控制阀门；在所述SiCl4蒸发罐与SiCl4补液罐之间的SiCl4补液管上安装有三通控制阀门，三通控制阀门上还连接有SiCl4液体输入管，SiCl4液体输入管接入SiCl4液体供源。

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