电子科技大学唐晓莉获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118125812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410249135.5，技术领域涉及：C04B35/16；该发明授权一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料及其制备方法是由唐晓莉;赵祯;程泽来;苏桦;荆玉兰设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体为一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料及其制备方法。本发明的SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料由SrCuSi4O10和钒酸盐两相构成，按重量配比100‑x％SrCuSi4O10+x％Sr3V2O8Ba3V2O8将SrCuSi4O10和用于无机化工领域以及光学领域的钒酸盐两种预烧料以固相法直接复合烧结而成，烧结温度900～950℃，εr＝8.6～9.1，Q×f值23000～32600GHz，τf＝‑10～10ppm℃；钒酸盐为Sr3V2O8或Ba3V2O8。本发明同时满足了LTCC材料超低介、低损耗以及近零温度系数的诸多优势，不需要额外的烧结助剂直接复合，且成本低易于工业化应用，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。
本发明授权一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SrCuSi4O10基低介低损耗复合LTCC材料，其特征在于：由SrCuSi4O10和钒酸盐两相构成，按重量配比100‑x％SrCuSi4O10+x％Sr3V2O8Ba3V2O8将两种预烧料以固相法直接复合烧结而成，其中45≤x≤55，烧结温度900～950℃，εr＝8.6～9.1，Q×f值23000～32600GHz，τf＝‑10～10ppm℃；所述钒酸盐为Sr3V2O8或Ba3V2O8。
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