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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利GaN基Micro LED外延结构及其生长方法与气相沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410299245.2，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权GaN基Micro LED外延结构及其生长方法与气相沉积装置是由马昆旺;吴永胜;刘恒山;贺卫群;邹声斌;唐乐星;马野设计研发完成，并于2024-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN基Micro LED外延结构及其生长方法与气相沉积装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件以及半导体显示制造领域，特别涉及GaN基MicroLED外延结构及其生长方法与气相沉积装置。该GaN基MicroLED外延结构，包括应力释放层，所述应力释放层包括由下至上依次层叠设置的第一组InGaNGaN结构、第二组InGaNGaN结构和第三组InGaNGaN结构；该GaN基MicroLED外延结构设计包含三组InGaNGaN结构的应力释放层，三组InGaNGaN结构的厚度及掺杂浓度均不相同，优化了应力释放层，形成以线程位错为中心的大小合适的V‑Pits，可抑制电子空穴对在缺陷处进行非辐射复合，提升发光效率。

本发明授权GaN基Micro LED外延结构及其生长方法与气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种GaN基Micro LED外延结构，其特征在于，包括应力释放层，所述应力释放层包括由下至上依次层叠设置的第一组InGaNGaN结构、第二组InGaNGaN结构和第三组InGaNGaN结构； 所述第一组InGaNGaN结构中In的掺杂浓度是1E+18~2E+20atomcm3，Si的掺杂浓度是1E+18~2E+20atomcm3，单个InGaNGaN结构中GaN的厚度为2~15nm； 所述第二组InGaNGaN结构中In的掺杂浓度是5E+17~1E+19atomcm3，Si的掺杂浓度是5E+17~1E+18atomcm3，单个InGaNGaN结构中GaN的厚度为3.2~24nm； 所述第三组InGaNGaN结构中In的掺杂浓度是1E+17~5E+18atomcm3，Si的掺杂浓度是5E+16~5E+17atomcm3，单个InGaNGaN结构中GaN的厚度为2.6~19.5nm； 所述第一组InGaNGaN结构、第二组InGaNGaN结构和第三组InGaNGaN结构中单个InGaNGaN结构的循环数均为3~6个； 所述第一组InGaNGaN结构、第二组InGaNGaN结构和第三组InGaNGaN结构中单个InGaNGaN结构的InGaN的厚度均为1~5nm。

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