苏州华太电子技术股份有限公司杨梦苏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利射频功率放大器及无线信号发射系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118214377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311871664.0,技术领域涉及:H03F1/42;该发明授权射频功率放大器及无线信号发射系统是由杨梦苏设计研发完成,并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频功率放大器及无线信号发射系统在说明书摘要公布了:本申请涉及无线电技术领域,具体涉及一种射频功率放大器及无线信号发射系统,所述射频功率放大器包括,第一放大支路,包括第一晶体管,第一晶体管的栅极用于连接射频输出设备,以接收射频输出设备发出的射频信号,第一晶体管的漏极用于连接信号发射设备;第二放大支路,包括第二晶体管,第二晶体管的栅极用于连接射频输出设备,以接收射频输出设备发出的射频信号,第二晶体管的漏极用于连接信号发射设备;其中,射频功率放大器在工作时,第二晶体管漏极的工作电压大于第一晶体管漏极的工作电压。可使第一放大支路回退状态下的阻抗、第一晶体管漏极所连接的传输线的特征阻抗与合路的阻抗相等,保证在回退状态下射频功率放大器产生的带宽更大。
本发明授权射频功率放大器及无线信号发射系统在权利要求书中公布了:1.一种射频功率放大器,其特征在于,所述射频功率放大器包括,第一放大支路,包括第一晶体管,所述第一晶体管的栅极用于连接射频输出设备,以接收所述射频输出设备发出的射频信号,所述第一晶体管的漏极用于连接信号发射设备; 第二放大支路,包括第二晶体管,所述第二晶体管的栅极用于连接所述射频输出设备,以接收所述射频输出设备发出的射频信号,所述第二晶体管的漏极用于连接所述信号发射设备; 其中,所述射频功率放大器在工作时,所述第二晶体管漏极的工作电压大于所述第一晶体管漏极的工作电压;所述第二晶体管漏极的工作电压与所述第一晶体管漏极的工作电压比在2至20倍;所述第二晶体管漏极的工作电压与所述第一晶体管漏极的工作电压比为: 其中,V1表示所述第一晶体管漏极的工作电压,V2表示所述第二晶体管漏极的工作电压,P1表示所述第一放大支路的饱和输出功率,P2表示所述第二放大支路的饱和输出功率; 第一漏极偏置电路,包括: 第一微带线,第一端与所述第一晶体管的漏极连接,第二端用于连接第一电源; 第一滤波电容,第一端与所述第一微带线连接,第二端接地;和或,第二漏极偏置电路,包括: 第二微带线,第一端与所述第二晶体管的漏极连接,第二端用于连接第二电源; 第二滤波电容,第一端与所述第二微带线连接,第二端接地。
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