厦门大学;嘉庚创新实验室卢卫芳获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学;嘉庚创新实验室申请的专利一种发光器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410977433.6，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种发光器件及制备方法是由卢卫芳;包洋;王梦童;黄凯;李金钗;杨旭;张荣设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种发光器件及制备方法，该发光器件包括衬底层、缓冲层、多孔化结构及发光结构层，缓冲层位于衬底层一侧表面，缓冲层上具有目标区域；多孔化结构嵌于目标区域内，多孔化结构包括氮化镓柱，且氮化镓柱具有纳米孔；发光结构层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光结构层包括第一掺杂半导体层、发光层及第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光层位于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间，第一掺杂半导体层的导电类型和第二掺杂半导体层的导电类型相反。本发明减少了大面积多孔化造成的孔径不均匀的情况，进而减少了应力弛豫程度不均匀的情况。
本发明授权一种发光器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光器件，其特征在于，包括： 衬底层100； 缓冲层300，所述缓冲层300位于所述衬底层100一侧表面，所述缓冲层300上具有一个或多个目标区域； 多孔化结构，所述多孔化结构嵌于所述目标区域内，所述多孔化结构包括以阵列形式设置的氮化镓柱500，且所述氮化镓柱500上具有纳米孔501； 发光结构层，所述发光结构层位于所述氮化镓柱500背离所述衬底层100的一侧表面，所述发光结构层包括第一掺杂半导体层700、发光层800及第二掺杂半导体层900，所述第一掺杂半导体层700位于所述氮化镓柱500背离所述衬底层100的一侧表面，所述发光层800位于所述第一掺杂半导体背离所述氮化镓柱500的一侧表面，所述第二掺杂半导体层900位于所述发光层800背离所述第一掺杂半导体层700的一侧表面，所述第一掺杂半导体层700的导电类型和所述第二掺杂半导体层900的导电类型相反。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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