谷歌有限责任公司埃姆雷·通切尔获国家专利权
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龙图腾网获悉谷歌有限责任公司申请的专利基于功率预测的漏电筛查获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119096151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380039048.0，技术领域涉及：G01R31/317；该发明授权基于功率预测的漏电筛查是由埃姆雷·通切尔;考希克·巴拉穆昆德汉;李怡然设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于功率预测的漏电筛查在说明书摘要公布了：本文档描述了用于基于功率预测的漏电筛查的系统和方法。具体而言，所描述的系统和方法在硅制造过程期间估计用例功率例如，低功率、环境功率、高功率、游戏功率以针对部件例如，芯片封装应用漏电筛查。在一些方面，可测量的硅参数例如，漏电值、区间值、处理器传感器值可用于用例功率预测。使用所描述的方法，可以确定最大允许的预测的用例功率并将其用于漏电筛查，而不管单独的轨道漏电或电压区间分配如何。
本发明授权基于功率预测的漏电筛查在权利要求书中公布了：1.一种用于基于功率预测的漏电筛查的方法，所述方法包括： 接收402已经过晶圆测试、裸片切割、封装和分区的芯片封装，所述芯片封装具有多个轨道，所述多个轨道中的每个轨道基于自适应供给电压值被分配给多个电压区间中的对应电压区间； 获得404与所述芯片封装相关联的一个或多个硅参数，所述一个或多个硅参数是在所述芯片封装的晶圆级测试期间被确定的，并且至少包括所述多个轨道中的每个轨道的漏电流值； 对所述芯片封装的所述多个轨道执行406多轨道测试，以提供跨所述多个电压区间的每个轨道的结果，所述多个轨道中的每个轨道是基于对应的漏电流值和所述对应电压区间的所述自适应供给电压值被测试的； 基于跨所述多个电压区间的所述每个轨道的结果的聚合来确定408聚合值；以及基于所述聚合值来对所述芯片封装进行分类410。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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