上海积塔半导体有限公司齐栋洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利用于测量离子注入深度的方法、半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535006.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权用于测量离子注入深度的方法、半导体结构及其制备方法是由齐栋洋;阳黎明;张奕航;李钊;黄永彬设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于测量离子注入深度的方法、半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于测量离子注入深度的方法、半导体结构及其制备方法，方法包括：提供一晶圆；晶圆包括衬底，以及位于衬底内沿第一方向的尺寸在朝向衬底方向先增大后减小的沟槽；其中，第一方向平行于衬底顶面；于沟槽的内表面形成阻挡层后，向沟槽内填充半导体层；沿第一方向去除部分衬底及部分半导体层，得到纵截面呈具有目标锐角的“直角三角形”的半导体层；对半导体层及衬底执行离子注入工艺，形成沿朝向衬底方向延伸的非晶层；阻挡层第一侧壁于非晶层内沿第一方向的尺寸关联于非晶层的厚度。能够直观量测部分离子注入导致非晶化的深度的方法，通过非晶化的深度，可以反推离子注入的能量，用做校对；方法简便，成本较低。
本发明授权用于测量离子注入深度的方法、半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，制备用于测量离子注入的深度的半导体结构，其特征在于，包括： 提供一晶圆；所述晶圆包括衬底，以及位于所述衬底内沿第一方向的尺寸在朝向所述衬底方向先增大后减小的沟槽；其中，所述第一方向平行于所述衬底顶面； 于所述沟槽的内表面形成阻挡层后，向所述沟槽内填充半导体层； 沿所述第一方向去除部分所述衬底及部分所述半导体层，得到纵截面呈具有目标锐角的“直角三角形”的半导体层； 对所述半导体层及所述衬底执行离子注入工艺，形成沿朝向所述衬底方向延伸的非晶层；所述阻挡层第一侧壁于所述非晶层内沿所述第一方向的尺寸关联于所述非晶层的厚度。
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