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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种共源共栅型常关氮化镓功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521769B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411637136.3，技术领域涉及：H10D84/87；该发明授权一种共源共栅型常关氮化镓功率器件及其制备方法是由刘新科;范康凯;杨永凯;朱曦;黎晓华;贺威;刘河洲设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种共源共栅型常关氮化镓功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种共源共栅型常关氮化镓功率器件及其制备方法。共源共栅型常关氮化镓功率器件包括互联的金刚石MOSFET和耗尽型GaNJFET；耗尽型GaNJFET上设置有第一漏电极、若干第一栅极以及第一源极，金刚石MOSFET与耗尽型GaNJFET金属互联，金刚石MOSFET上设置有第二漏电极、第二栅极以及第二源极，若干第一栅极并联后与第二源极串联，第一源极与第二漏电极连通。本申请通过使用共源共栅结构，在更小的空间内实现低损耗金刚石MOSFET控制高压常开型氮化镓JFET的关断，在保持氮化镓材料优势的同时，有效增强了器件的散热性能，提升了器件的电学性能表现以及使用寿命。

本发明授权一种共源共栅型常关氮化镓功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种共源共栅型常关氮化镓功率器件，其特征在于，包括互联的金刚石MOSFET和耗尽型GaN JFET；其中，所述耗尽型GaN JFET包括依次叠加设置的第一漏电极、第一衬底以及n‑GaN层，所述n‑GaN层的与所述第一衬底相对的一侧上还间隔设置有若干p‑GaN层，若干所述p‑GaN层沿所述n‑GaN层表面间隔分布，所述p‑GaN层上一一对应设置有第一栅极，所述n‑GaN层上还连接有第一源极； 所述金刚石MOSFET与所述n‑GaN层金属互联，所述金刚石MOSFET上设置有第二漏电极、第二栅极以及第二源极，若干所述第一栅极并联后与所述第二源极串联，所述第一源极与所述第二漏电极连通； 所述n‑GaN层的与所述第一衬底相对的一侧上设置有用于将所述n‑GaN层分为第一氮化镓部分和第二氮化镓部分的第一分隔槽，所述第一氮化镓部分的与所述第一衬底相对的一侧上设置有第一金属层，所述金刚石MOSFET包括第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层键合连接，所述若干p‑GaN层设置在所述第二氮化镓部分上； 所述第二氮化镓部分上间隔开设有若干嵌槽，所述p‑GaN层嵌设在所述嵌槽内，所述第一栅极设置在所述p‑GaN层的背离所述嵌槽的槽底的一侧，所述第一源极设置在所述n‑GaN层的与所述第一衬底相对的一侧上，且位于相邻的两个第一栅极之间； 所述金刚石MOSFET还包括依次叠设在所述第二金属层上的第二衬底、n‑diamond层和p‑diamond层；所述p‑diamond层的与所述n‑diamond层相对的一侧上设置有用于将所述p‑diamond层分隔为第一金刚石部分和第二金刚石部分的第二分隔槽，所述第二源极设置在所述第一金刚石部分上，所述第二漏电极设置在所述第二金刚石部分上，所述第二分隔槽上还设置有栅氧层，所述栅氧层的两端分别沿所述第二分隔槽的底壁延伸至与所述第二漏电极和第二源极相接，所述第二栅极叠设在所述栅氧层上。

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