中国科学院上海微系统与信息技术研究所孙珂获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种二次封口真空封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119660670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411699059.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种二次封口真空封装工艺是由孙珂;杨恒;缪晔辰;余豪设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二次封口真空封装工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二次封口真空封装工艺，包括如下步骤：1采用白锡作为封口焊料实现第一次真空封口；2将第一次封口后的MEMS微腔体结构在常温常压条件下放置；3第二次封口对准：将放置后的MEMS微腔体结构与第二次封口焊料对准并安装在制冷加热台上，并在二者之间放置催化剂；4对真空封装装置抽真空并保持，将制冷加热台的温度设定为低于13.2℃，使白锡转化为灰锡；5第二次真空封口：对真空封装装置抽真空，将制冷加热台的温度升高到焊接温度，使第二次封口焊料和掉落的灰锡粉末融化，并与电极焊接在一起，降温后完成第二次真空封口。本发明的封口工艺可提高真空封装工艺产能，降低产品成本。
本发明授权一种二次封口真空封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种二次封口真空封装工艺，包括如下步骤： 1采用白锡作为封口焊料实现第一次真空封口：将MEMS微腔体结构、白锡焊料对准并安装到真空封装装置的制冷加热台上；去除白锡表面自然氧化层，然后真空封装装置内抽真空，升温至白锡焊料融化并与电极焊接在一起，降温后完成第一次真空封口； 2将第一次真空封口后的MEMS微腔体结构在常温常压条件下放置； 3第二次封口对准：去除第二次封口焊料和MEMS微腔体结构表面白锡焊料的自然氧化层后，将MEMS微腔体结构与第二次封口焊料对准并安装到制冷加热台上，并在MEMS微腔体结构与第二次封口焊料之间放置催化剂； 4真空低温处理，打开封口：对真空封装装置抽真空并保持，将制冷加热台的温度设定为低于13.2℃，使白锡转化为灰锡； 5第二次真空封口：对真空封装装置抽真空，将制冷加热台的温度升高到焊接温度，使第二次封口焊料和掉落的灰锡粉末融化，并与电极焊接在一起，降温后完成第二次真空封口，即完成真空封装过程。
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