买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利氮化镓基激光器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510017054.7，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权氮化镓基激光器的制备方法是由陈振宇;赵德刚;梁锋;刘宗顺;杨静设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓基激光器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化镓基激光器的制备方法，可应用于氮化镓半导体激光器技术领域。该方法包括：提供氮化镓衬底；在氮化镓衬底上依次生长氮化镓缓冲层，下限制层，下波导层，有源区，上波导层，电子阻挡层，新型上限制层，新型p型氮化镓层，欧姆接触层，得到外延结构；以及制备电极，其中，新型上限制层和新型p型氮化镓层的生长方法为分步掺杂法；新型上限制层和新型p型氮化镓层的结构为超晶格结构。通过分步掺杂法以及超晶格极化诱导掺杂法提高了低生长温度下的Mg杂质的掺入效率以及离化效率，能够在较低生长温度下实现大的Mg掺杂浓度以及高空穴浓度，从而实现低温p型AlGaN以及GaN层的制备，提高氮化镓基蓝绿光激光器的光电性能。

本发明授权氮化镓基激光器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基激光器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供氮化镓衬底； 在所述氮化镓衬底上依次生长氮化镓缓冲层，下限制层，下波导层，有源区，上波导层，电子阻挡层，新型上限制层，新型p型氮化镓层，欧姆接触层，得到外延结构；以及制备电极，其中，所述新型上限制层的生长方法为分步掺杂法； 所述新型p型氮化镓层的生长方法为分步掺杂法； 所述新型上限制层的结构为超晶格结构；以及所述新型p型氮化镓层的结构为超晶格结构； 其中，所述新型上限制层的超晶格结构包括60个周期的p型掺杂氮化镓层和非掺杂的氮化铝镓层，采用分步掺杂法生长所述新型上限制层包括重复执行以下方法60次： 通过氮气对生长电子阻挡层后得到的第一外延结构的外延表面进行氮化； 以三甲基镓为镓源，在所述电子阻挡层上生长第一预设厚度的非掺杂的氮化镓层； 停止非掺杂的氮化镓层生长，保持氨气通入，以对所述非掺杂的氮化镓层表面进行氮化； 保持氨气通入，以二茂镁为镁源对氮化后非掺杂的氮化镓层进行p型掺杂，直至达到第一预设掺杂浓度，得到p型掺杂氮化镓层；以及以三甲基铝为铝源以及三甲基镓为镓源，在 p型掺杂氮化层上生长非掺杂的氮化铝镓层，其中，采用所述分步掺杂法生长所述新型上限制层的生长温度为800℃‑950℃。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。