烟台睿创微纳技术股份有限公司石冰谷获国家专利权
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龙图腾网获悉烟台睿创微纳技术股份有限公司申请的专利一种互联导通结构和半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223651408U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422549444.2，技术领域涉及：H01L23/522；该实用新型一种互联导通结构和半导体器件是由石冰谷;赵福设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种互联导通结构和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体领域，公开了一种互联导通结构和半导体器件，包括具有通孔的第一中间绝缘层，所述通孔在第一中间绝缘层厚度方向上贯穿所述第一中间绝缘层；位于所述第一中间绝缘层第一侧的第一结构层；位于所述第一中间绝缘层第二侧的第二结构层；位于所述通孔内的第一填充结构体，用于连接所述第一结构层和所述第二结构层；位于所述通孔侧壁的第一过渡层，且所述过渡层位于所述第一填充结构体和所述第一中间绝缘层之间。本申请的互联导通结构中具有第一过渡层，可以解决第一中间绝缘层和第一填充结构体之间的匹配问题；还可起到保护和钝化作用，避免在制作第一填充结构体时对通孔的侧壁造成损伤；并且还可以提高通孔的填充率和填充一致性。
本实用新型一种互联导通结构和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种互联导通结构，其特征在于，包括： 具有通孔10的第一中间绝缘层1，所述通孔10在第一中间绝缘层1厚度方向上贯穿所述第一中间绝缘层1； 位于所述第一中间绝缘层1第一侧的第一结构层2； 位于所述第一中间绝缘层1第二侧的第二结构层3； 位于所述通孔10内的第一填充结构体4，用于连接所述第一结构层2和所述第二结构层3；所述第一填充结构体4的下表面与所述第一结构层2直接接触，所述第一填充结构体4的上表面与所述第二结构层3直接接触； 位于所述通孔10侧壁的第一过渡层5，且所述过渡层位于所述第一填充结构体4和所述第一中间绝缘层1之间； 所述第一过渡层5环绕分布在所述第一中间绝缘层1中所述通孔10的侧壁上，所述通孔10中除所述第一过渡层5以外的区域为所述第一填充结构体4。
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