上海积塔半导体有限公司任杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体熔丝及其器件、电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223651409U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520246977.5，技术领域涉及：H01L23/525；该实用新型半导体熔丝及其器件、电子设备是由任杰;王峰;李乐;黄永彬设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体熔丝及其器件、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体熔丝及其器件、电子设备，半导体熔丝包括：衬底，衬底顶面包括沿背离衬底方向依次层叠的绝缘层、熔丝结构；熔丝结构包括沿平行于衬底顶面的第一方向依次排列的第一导电部、熔断部、第二导电部；绝缘层内包括经由绝缘层顶面向绝缘层内延伸的镂空图形；镂空图形用于存储熔融态的熔断部；其中，熔断部的正投影位于镂空图形之内。本申请提供的新结构为熔融态的半导体熔丝提供了可填充的空洞区域，避免了回填的问题，从而更加容易彻底熔断。
本实用新型半导体熔丝及其器件、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体熔丝，其特征在于，包括：衬底，所述衬底顶面包括沿背离所述衬底方向依次层叠的绝缘层、熔丝结构； 所述熔丝结构包括沿平行于所述衬底顶面的第一方向依次排列的第一导电部、熔断部、第二导电部； 所述绝缘层内包括经由所述绝缘层顶面向所述绝缘层内延伸的镂空图形；所述镂空图形用于存储熔融态的熔断部； 其中，所述熔断部的正投影位于所述镂空图形之内。
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