扬州扬杰电子科技股份有限公司王坤获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223652616U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423253084.8，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管是由王坤;杨程;王正;万胜堂;马驰远;朱秀梅;王毅设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管在说明书摘要公布了：具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管，涉及半导体技术领域。SiCSBD二极管中利用氧化层将Poly电极与N‑漂移层绝缘，形成平面电容器，在反向阻断时Poly电极两侧排斥周围的电子，使上层N‑漂移层耗尽区扩展，肖特基界面处的电场强度下降，减弱肖特基效应，减小漏电。同时利用刻蚀沟槽将P型掩蔽层延伸至N‑漂移层内部，且与正极连接等电位，在器件反向阻断时，电场峰值由表面向下移动，远离肖特基界面，从而减小漏电。
本实用新型具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管在权利要求书中公布了：1.具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管，其特征在于，包括从下而上依次设置的背面金属10、N+衬底层1、N型缓冲层2、N‑漂移层3、肖特基金属8和正面金属9； 所述N‑漂移层3上设有： Poly层7，设有若干，分别从所述N‑漂移层3顶面向下延伸； 氧化层6，设有若干，分别位于所述Poly层7与N‑漂移层3之间；所述氧化层6顶面与Poly层7顶面齐平，所述氧化层6底面与Poly层7底面齐平； P型掩蔽层5，设置在所述氧化层6和Poly层7的底面和拐角处。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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