扬州扬杰电子科技股份有限公司王坤获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223652617U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423247744.1，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件是由王坤;杨程;王正;万胜堂;马驰远;朱秀梅;王毅设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：具有L型栅氧结构的SiCMOSFET器件，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的漏极金属层、N+衬底层、N型缓冲层、N‑漂移层、源极欧姆接触合金层和源极金属层；N‑漂移层内设有N‑区、P‑well区、NP区、PP区、P+区、栅底氧化层、栅氧化层和Poly层；栅底氧化层在不影响器件导通电阻的情况下显著提高栅氧底部的可靠性，且栅底氧化层也可降低芯片的Crss寄生电容，有利于器件高频应用；再利用P+区屏蔽栅氧底部的电场，可进一步提升栅氧可靠性。
本实用新型具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的漏极金属层16、N+衬底层1、N型缓冲层2、N‑漂移层3、源极欧姆接触合金层14和源极金属层15； 所述N‑漂移层3内设有： N‑区4，从所述N‑漂移层3顶面向下延伸； P‑well区5，设有若干，分别从所述N‑区4顶面向下延伸； NP区6，设有若干，分别从所述P‑well区5的顶面向下延伸； PP区7，设有若干，分别从所述P‑well区5的顶面向下延伸，位于所述NP区6的侧部； P+区9，位于所述N‑区4内，底面与所述N‑漂移层3连接； 栅底氧化层10，位于所述P+区9顶面； 栅氧化层11，设有一对，分别依次经过所述NP区6、P‑well区5和N‑区4顶面后向下延伸至栅底氧化层10的顶面； Poly层12，覆盖在所述栅底氧化层10和栅氧化层11顶面；所述Poly层12的顶面设有介质层13，所述介质层13侧部向下延伸至NP区6的顶面。
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