台湾积体电路制造股份有限公司徐永昌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利对接接触结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110718521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910619965.1，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权对接接触结构是由徐永昌;潘昇良设计研发完成，并于2019-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本对接接触结构在说明书摘要公布了：提供一种对接接触结构。在一实施例中，结构包含位于基底上的第一晶体管，第一晶体管包含第一源极或漏极区域、第一栅极、以及设置于第一栅极和第一源极或漏极区域之间的第一栅极间隔物。此结构包含位于基底上的第二晶体管，第二晶体管包含第二源极或漏极区域、第二栅极、以及设置于第二栅极和第二源极或漏极区域之间的第二栅极间隔物。此结构包含对接接触件，设置于第一源极或漏极区域上方并从第一源极或漏极区域延伸至第一栅极或第二栅极的至少之一，第一栅极间隔物的一部分延伸一距离至对接接触件中以隔开对接接触件的第一底表面与对接接触件的第二底表面。
本发明授权对接接触结构在权利要求书中公布了：1.一种对接接触结构，包括： 一第一晶体管，位于一基底上，该第一晶体管包括一第一源极或漏极区域、一第一栅极、以及设置于该第一栅极和该第一源极或漏极区域之间的一第一栅极间隔物； 一第二晶体管，位于该基底上，该第二晶体管包括一第二源极或漏极区域、一第二栅极、以及设置于该第二栅极和该第二源极或漏极区域之间的一第二栅极间隔物；以及 一对接接触件，设置于该第一源极或漏极区域上方并从该第一源极或漏极区域延伸至该第一栅极或该第二栅极的至少之一，该第一栅极间隔物的一部分延伸一距离至该对接接触件中以隔开该对接接触件的一第一底表面与该对接接触件的一第二底表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励