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龙图腾网获悉上海迈铸半导体科技有限公司申请的专利一种集成于硅基片上的电磁式振动能量采集器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110932517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911367244.2，技术领域涉及：H02K35/02；该发明授权一种集成于硅基片上的电磁式振动能量采集器及制备方法是由李昕欣;顾杰斌;韩若枫设计研发完成，并于2019-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成于硅基片上的电磁式振动能量采集器及制备方法在说明书摘要公布了：一种集成于硅基片上的电磁式振动能量采集器及制备方法，包括：硅基片上螺线圈、微型磁体和挡板；硅基片上螺线圏的内部为贯穿的中空腔体，微型磁体滑动设置于腔体内，微型磁体受到外界激励时在腔体内相对硅基片上螺线圈往复运动；挡板设置于硅基片上螺线圈的两端，对微型磁体施加与其运动方向相反的碰撞力。本申请提供的电磁式振动能量采集器通过螺线圈切割磁感线进行发电，且是基于硅基片上可集成3D螺线圈实现的，解决了现有技术中电磁式振动能量采集器体积大、难以批量化生产的问题。

本发明授权一种集成于硅基片上的电磁式振动能量采集器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成于硅基片上的电磁式振动能量采集器，其特征在于，包括：硅基片上螺线圈、微型磁体和挡板； 所述硅基片上螺线圏的内部为使所述微型磁体自由滑动的贯穿的中空腔体，所述微型磁体滑动设置于所述腔体内，所述微型磁体受到外界激励时在所述腔体内相对所述硅基片上螺线圈往复运动； 所述挡板设置于所述硅基片上螺线圈的两端，对所述微型磁体施加与其运动方向相反的碰撞力； 所述硅基片上螺线圈为硅基片上双层螺线圈，具体包括： 外部上层硅基底，所述外部上层硅基底的一面刻有外层螺线槽和电极槽； 内部上层硅基底，所述内部上层硅基底的一面刻有内层螺线槽，另一面刻有使所述微型磁体自由移动的空腔； 内部下层硅基底，所述内部下层硅基底的一面刻有内层螺线槽，另一面刻有使所述微型磁体自由移动的空腔； 外部下层硅基底，所述外部下层硅基底的一面刻有外层螺线槽和电极槽； 外层金属螺线圈，所述外层金属螺线圈贯穿于所述外部上层硅基底的外层螺线槽和外部下层基底的外层螺线槽； 内层金属螺线圈，所述内层金属螺线圈贯穿于所述内部上层硅基底的内层螺线槽和内部下层硅基底的内层螺线槽； 电极，所述电极设置于外部上层硅基底的电极槽和外部下层硅基底的电极槽； 其中，所述外部上层硅基底、所述外部下层硅基底、所述内部上层硅基底和所述内部下层硅基底还分别设有相互连通的贯穿通孔。

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