日东电工株式会社杉村敏正获国家专利权
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龙图腾网获悉日东电工株式会社申请的专利切割芯片接合薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910936604.X，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权切割芯片接合薄膜是由杉村敏正;大西谦司;高本尚英;福井章洋设计研发完成，并于2019-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本切割芯片接合薄膜在说明书摘要公布了：本发明提供切割芯片接合薄膜，其即使在制造后经过长时间之后也能够对割断后的带有粘接剂层的半导体芯片实现良好的拾取。切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层包含：聚合物，其具有来源于包含自由基聚合性官能团及除自由基聚合性官能团以外的第1官能团的交联剂的结构部，且维持前述自由基聚合性官能团的自由基聚合性；和，自由基聚合引发剂，其具有能够与前述第1官能团反应的第2官能团。
本发明授权切割芯片接合薄膜在权利要求书中公布了：1.一种切割芯片接合薄膜，其具备： 切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和 粘接剂层，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合， 所述粘合剂层包含：聚合物，其具有来源于包含自由基聚合性官能团及除自由基聚合性官能团以外的第1官能团的交联剂的结构部，且维持所述自由基聚合性官能团的自由基聚合性的状态；和，自由基聚合引发剂，其具有能够与所述第1官能团反应的第2官能团， 其中，所述聚合物包含如下的构成：含有来源于具有第3官能团的单体成分的结构单元，所述第3官能团能够与所述第1官能团反应，来源于所述单体成分的结构单元和来源于所述交联剂的结构部通过所述第1官能团与所述第3官能团的化学反应而键合， 所述聚合物还含有来源于含吗啉基单体成分的结构单元， 所述自由基聚合引发剂为2-羟基-1-4-4-2-羟基-2-甲基丙酰基苄基苯基-2-甲基丙烷-1-酮和或4-2-羟基乙氧基苯基2-羟基-2-丙基酮。
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