杭州士兰微电子股份有限公司张邵华获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利双向功率器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111785771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910267738.7,技术领域涉及:H10D62/10;该发明授权双向功率器件是由张邵华设计研发完成,并于2019-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本双向功率器件在说明书摘要公布了:公开了一种双向功率器件,双向功率器件包括:半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于所述沟槽侧壁上的栅介质层;位于所述沟槽下部的控制栅;以及位于所述半导体层中且邻近所述控制栅的沟道区;其中,所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请提供的双向功率器件中,沟道区邻近位于沟槽下部的控制栅,可以通过减小沟槽的宽度来减小沟道长度,进而减小沟道电阻。
本发明授权双向功率器件在权利要求书中公布了:1.一种双向功率器件,其特征在于,包括: 半导体层; 位于半导体层中的沟槽; 位于所述沟槽侧壁上的栅介质层; 位于所述沟槽下部的控制栅;以及 位于所述半导体层中且邻近所述控制栅的沟道区; 其中,所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开, 覆盖介质层,位于所述半导体层的第一表面上; 第四接触孔,位于所述沟槽上,贯穿所述覆盖介质层延伸至所述沟槽中的控制栅。
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