中微半导体设备(上海)股份有限公司郑振宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利加热装置、包括该加热装置的CVD设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112048713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010095741.8，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权加热装置、包括该加热装置的CVD设备是由郑振宇;谢振南;姜勇设计研发完成，并于2020-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本加热装置、包括该加热装置的CVD设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于加热可旋转基片承载台的加热装置，用以改善基片承载台上表面各区域的温度均匀性。该基片承载台具有旋转轴线，该加热装置位于基片承载台下方并与基片承载台在竖直方向上相隔一距离，加热装置包括一个或多个第一加热器以及多个辅助加热器，一个或多个第一加热器用于加热上方基片承载台的环形区域，多个辅助加热器处于所述环形区域下方，且所述多个辅助加热器与旋转轴线具有不同的距离，用于调节所述环形区域中局部区域的温度。
本发明授权加热装置、包括该加热装置的CVD设备在权利要求书中公布了：1.一种用于加热可旋转基片承载台的加热装置，其特征在于，所述基片承载台具有旋转轴线OO’，所述加热装置位于基片承载台下方并与所述基片承载台在竖直方向上相隔一距离，所述加热装置包括主加热器以及多个辅助加热器， 所述主加热器用于加热上方基片承载台， 所述多个辅助加热器到旋转轴线OO’的距离不同，所述多个辅助加热器中的每个辅助加热器用于独立调节主加热器所加热区域中的局部温度；所述主加热器包括一个或多个第一加热器，第一加热器包括多个弧形加热段以及用于连接相邻弧形加热段的连接部；一个或多个第一加热器用于加热上方基片承载台的环形区域，所述环形区域的内半径记为Smin，所述环形区域的外半径记为Smax，每个辅助加热器到所述旋转轴线的距离在区间[Smin，Smax]内； 所述辅助加热器中的第一组辅助加热器的径向位置对应于相邻弧形加热段之间的间隙的径向位置，并且所述辅助加热器中的第二组辅助加热器的径向位置对应于所述弧形加热段的径向位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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