三星电子株式会社金在文获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112701154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011121554.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权集成电路器件及其制造方法是由金在文;金傔;金茶惠;金真范;崔广寅;慎一揆;李承勋设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出，在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并包括第一半导体材料；隔离层，布置在衬底上并覆盖鳍型有源区的侧壁的下部，隔离层包括共形地布置在鳍型有源区的侧壁的下部上的绝缘衬层以及绝缘衬层上的绝缘填充层；覆盖层，围绕鳍型有源区的上表面和侧壁，包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中，覆盖层具有上表面、侧壁以及在上表面与侧壁之间的刻面表面；以及栅极结构，布置在覆盖层上并在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
本发明授权集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 鳍型有源区，从衬底突出，在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并包括第一半导体材料； 隔离层，布置在所述衬底上并覆盖所述鳍型有源区的侧壁的下部，所述隔离层包括布置在所述鳍型有源区的侧壁的下部上的绝缘衬层以及所述绝缘衬层上的绝缘填充层； 覆盖层，围绕所述鳍型有源区的上表面和侧壁的上部，包括与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中，所述覆盖层包括上表面、侧壁以及在所述上表面与所述侧壁之间的刻面表面，所述刻面表面相对于所述衬底的上表面以第一角度倾斜，并且所述第一角度在30°至60°之间；以及 栅极结构，布置在所述覆盖层上并在与所述衬底的上表面平行且与所述第一方向垂直的第二方向上延伸， 其中，所述覆盖层在所述鳍型有源区的上表面上具有第一厚度，其中，所述覆盖层沿着所述鳍型有源区的侧壁具有第二厚度，并且其中，所述第二厚度小于所述第一厚度， 其中，所述鳍型有源区的上表面与所述鳍型有源区的侧壁之间的连接部是倒圆的，并且所述连接部的轮廓与所述刻面表面的轮廓不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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