富士胶片株式会社岩濑英二郎获国家专利权
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龙图腾网获悉富士胶片株式会社申请的专利电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112771996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980062967.3，技术领域涉及：H05B33/10；该发明授权电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体是由岩濑英二郎设计研发完成，并于2019-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体在说明书摘要公布了：本发明能够提供一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体，所述电子器件层叠体的制造方法中，在用阻气膜密封有机EL器件等电子器件时，能够减小粘接剂层的厚度以防止元件的劣化且能够制作高挠性的电子器件层叠体。所述电子器件层叠体的制造方法包括：准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有：依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层及在密封层的有机层侧以能够从密封层剥离的方式层叠的基板；热压接工序，使热熔接层侧朝向元件形成面侧而将阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及剥离工序，从密封层剥离基板，无机层的厚度为100nm以下，热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。
本发明授权电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体在权利要求书中公布了：1.一种电子器件层叠体的制造方法，其包括： 准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有密封层和基板，该密封层是依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层，该基板是在所述密封层的所述有机层侧以能够从所述密封层剥离的方式层叠的基板； 热压接工序，使所述热熔接层侧朝向下述元件形成面侧而将所述阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及 剥离工序，从所述密封层剥离所述基板， 所述无机层的厚度为100nm以下， 所述热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃， 在所述热压接工序中，调节加热温度和所加压的压力，以使热压接后的、端部中的所述无机层与所述电子器件之间的距离小于100nm。
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