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龙图腾网获悉特忆智能科技申请的专利一种交叉开关阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113437215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110719581.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种交叉开关阵列是由葛宁设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种交叉开关阵列在说明书摘要公布了：本专利声明公开了在具有在IMT中自形成通道并且使通道与RRAM中的细丝自对准的交叉开关阵列。一种示例交叉开关阵列包括:底部电极；形成在底部电极上的细丝形成层；形成在细丝形成层上的通道形成层；以及形成在所述通道形成层上的顶部电极，其中所述细丝形成层被配置成在所述细丝形成层内形成细丝，并且当在所述细丝形成层和所述通道形成层上施加开关电压时，所述通道形成层被配置成在所述通道形成层内形成通道。

本发明授权一种交叉开关阵列在权利要求书中公布了：1.一种交叉开关阵列，其特征在于，包括： 第一行电级； 第一列电级； 位于所述第一行电级和所述第一列电级之间的多个交叉点器件，其中所述交叉点器件包括一个选择器一个忆阻器1S1R堆叠结构； 所述1S1R堆叠结构包括： 底部电极；以及在底部电极上形成细丝形成层；在细丝形成层上形成的通道形成层；形成在所述通道形成层上的顶部电极，其中，所述细丝形成层被配置成在所述细丝形成层内形成细丝，并且所述通道形成层被配置成当在所述细丝形成层和所述通道形成层上施加开关电压时在所述通道形成层内形成通道； 其中，所述1S1R堆叠结构具有阈值切换特征和在低电阻状态和高电阻状态切换的随机存取存储器件RRAM特征，当电压低于阈值电压时，所述1S1R堆叠结构的电阻由选择器控制，当电压高于阈值电压时，所述1S1R堆叠结构的电阻受RRAM控制； 其中，所述选择器具有阈值切换特征，当电压高于阈值电压时，所述选择器的电阻低于所述RRAM的电阻，当电压低于阈值电压时，所述选择器的电阻高于所述RRAM的电阻； 其中，所述选择器是具有电流控制的绝缘金属相变特性的器件，所述电流控制的绝缘金属相变特性的IV曲线包括第一部分、第二部分和第三部分，所述选择器处于所述第一部分时，所述选择器为处于高阻态且具有正电阻的器件；所述选择器处于所述第二部分时，所述选择器为从高阻态过渡到低阻态且具有负电阻的器件；所述选择器处于所述第三部分时，所述选择器为处于低阻态且具有正电阻的器件； 其中，当设定电压被施加到所述1S1R堆叠结构作为分压器时，所有电流流经所述通道形成层的焦耳热使得所述通道形成层从绝缘状态变为金属状态，从而完成设置操作；当应用复位操作时，所述设定电压的极性反转，且所述选择器上的电压下降使得所述通道形成层因焦耳热从绝缘状态变成金属状态，然后，所述1S1R堆叠结构两端的电压下降从而完成复位操作，其中，在所述1S1R堆叠结构的设置操作和复位操作期间，电流始终流经沿IMT通道和RRAM细丝的路径。

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