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龙图腾网获悉昭和电工材料株式会社申请的专利具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113574663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980094137.9，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法是由桥本慎太郎;谷口纮平;矢羽田达也;尾崎義信设计研发完成，并于2019-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，其为具有支石墓结构的半导体装置，包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及带黏合剂片的芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，带黏合剂片的芯片包含第二芯片及设置在第二芯片的一个面上的黏合剂片，支撑片与带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上。

本发明授权具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其为具有支石墓结构的半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及带黏合剂片的芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述带黏合剂片的芯片包含第二芯片及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片，所述具有支石墓结构的半导体装置的制造方法包括： A准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层、及至少具有热固性树脂层的支撑片形成用膜； B通过将所述支撑片形成用膜单片化，在所述压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序； C从所述压敏胶黏层拾取所述支撑片的工序； D在基板上配置第一芯片的工序； E在所述基板上且所述第一芯片的周围配置多个所述支撑片的工序； F准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片、及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片；以及 G通过在多个所述支撑片的表面上配置所述带黏合剂片的芯片来构筑支石墓结构的工序， 将所述带黏合剂片的芯片的黏合剂片热压接于所述支撑片形成用膜，使所述支撑片形成用膜及所述黏合剂片在170℃下固化1小时后的所述支撑片形成用膜的固化物与所述黏合剂片的固化物在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上。

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