昭和电工材料株式会社矢羽田达也获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工材料株式会社申请的专利具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113574664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080020993.2，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法是由矢羽田达也;谷口纮平;桥本慎太郎;尾崎義信;板垣圭设计研发完成，并于2020-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的支撑片形成用层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及支撑片形成用膜，且支撑片形成用膜具有至少包含拉伸弹性模量8.0MPa以上的树脂层的多层结构。所述支撑片形成用层叠膜适用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片。
本发明授权具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其为制造具有支石墓结构的半导体装置的方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述半导体装置的制造方法包括： A准备依次具备基材膜、压敏胶黏层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序； B通过将所述支撑片形成用膜单片化，而在所述压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序； C从所述压敏胶黏层拾取所述支撑片的工序； D在基板上配置第一芯片的工序； E在所述基板上且所述第一芯片的周围或应配置所述第一芯片的区域的周围，配置多个所述支撑片的工序； F准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片、及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片；以及 G通过在多个所述支撑片的表面上配置所述带黏合剂片的芯片来构筑支石墓结构的工序， 所述支撑片形成用膜具有至少包含拉伸弹性模量8.0MPa以上的树脂层及由与所述树脂层不同的材质构成的热固性树脂层的多层结构。
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