X-FAB全球服务有限公司丹尼尔·盖布勒尔获国家专利权
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龙图腾网获悉X-FAB全球服务有限公司申请的专利包括光电二极管阵列的光传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110616873.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权包括光电二极管阵列的光传感器是由丹尼尔·盖布勒尔设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括光电二极管阵列的光传感器在说明书摘要公布了：一种光传感器，包括：光电二极管阵列，包括均包括光有源区和外围区的第一光电二极管和第二光电二极管；以及金属层，包括设置在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管的外围区中的多个金属导线，其中，所述第一光电二极管被连接到所述多个金属导线中的第一金属导线子集，并且其中，所述第二光电二极管被连接到所述多个金属导线中的不同的第二金属导线子集。
本发明授权包括光电二极管阵列的光传感器在权利要求书中公布了：1.一种光传感器，包括： 光电二极管阵列，包括第一光电二极管和第二光电二极管，第一光电二极管包括被第一外围区包围的第一光有源区，第二光电二极管包括被第二外围区包围的第二光有源区，其中第一外围区和第二外围区不交叠；以及 金属层，包括多个金属导线，其中，所述多个金属导线中的每个金属导线设置在所述第一外围区和所述第二外围区中，其中，所述第一光电二极管被直接电连接到所述多个金属导线中的第一金属导线子集，并且其中，所述第二光电二极管被直接电连接到所述多个金属导线中的与所述第一金属导线子集不同的第二金属导线子集。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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