长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器制造方法及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111212226.4，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权三维存储器制造方法及三维存储器是由吴林春;杨永刚;周文犀设计研发完成，并于2020-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器制造方法及三维存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器制造方法及三维存储器，该方法包括：提供基底并在基底上形成牺牲层、第一材料层及刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成堆栈结构，且第一材料层、第二材料层及刻蚀停止层的材料不同；形成贯穿堆栈结构的第二结构孔，第二结构孔延伸至刻蚀停止层；去除刻蚀停止层位于第二结构孔底部的部分；形成包括第二结构孔且延伸至基底中的沟道孔；在沟道孔中形成沟道结构。通过在三维存储器的堆栈结构中设置刻蚀停止层，刻蚀停止层可以作为第二结构孔刻蚀的停止层，由于刻蚀停止层在堆栈结构中的位置确定，可使沟道孔的底部可以恰好位于基底中，不会造成打穿基底的情况发生。
本发明授权三维存储器制造方法及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括：沟道结构、彼此叠置的基底、半导体层以及堆栈结构； 所述堆栈结构包括多个交替设置的绝缘层和导电层； 所述沟道结构贯穿所述堆栈结构和所述半导体层，并延伸至所述基底，且所述半导体层位于所述基底与所述堆栈结构之间； 至少一个所述导电层靠近所述沟道结构的侧表面具有凹陷； 所述沟道结构具有与所述凹陷匹配的凸起； 所述沟道结构包括彼此叠置的功能层及沟道层； 所述半导体层与所述沟道层电连接； 所述功能层设置有开口，部分所述沟道层暴露于所述开口处； 所述半导体层延伸至所述开口，并与所述沟道层电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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