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龙图腾网获悉思诺威科技(无锡)有限公司申请的专利一种增益温漂频率特性补偿电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113922767B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111164822.X，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种增益温漂频率特性补偿电路及方法是由胡建飞;王镇;诸小胜;王永利设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增益温漂频率特性补偿电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增益温漂频率特性补偿电路及方法，包括MOS场效应管、电感、电容、射频扼流电阻和偏置电路；所述偏置电路与MOS场效应管的栅极连接，用于向MOS场效应管的栅极提供一个随环境温度变化的控制电压Vg；所述电感与电容串联并与MOS场效应管的源极连接；所述射频扼流电阻与MOS场效应管的源极连接，用于向MOS场效应管的源极提供偏置电压Vcm；所述MOS场效应管的漏极作为电压输入输出端。

本发明授权一种增益温漂频率特性补偿电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种增益温漂频率特性补偿方法，其特征在于：包括： 搭建增益温漂频率特性补偿电路； 给MOS场效应管的栅极提供一个随环境温度变化的控制电压Vg； 给MOS场效应管的源极提供一个偏置电压Vcm； 通过改变给MOS场效应管M1的栅源电压Vg-Vcm，改变LC的谐振频点，控制MOS场效应管M1温度补偿电阻的生效的频率，从而补偿温漂的频率特性； 所述增益温漂频率特性补偿电路包括MOS场效应管M1、电感L1、电容C1、射频扼流电阻Rchoke和偏置电路；所述偏置电路与MOS场效应管M1的栅极连接，用于向MOS场效应管M1的栅极提供一个随环境温度变化的控制电压Vg；所述电感L1与电容C1串联并与MOS场效应管M1的源极连接；所述射频扼流电阻Rchoke与MOS场效应管M1的源极连接，用于向MOS场效应管M1的源极提供偏置电压Vcm；所述MOS场效应管M1的漏极作为电压输入输出端； 其中，所述偏置电路包括：用于产生随温度变化的电流的第一电流电路、用于产生不随温度变化的电流的第二电流电路、电阻R3和缓冲器；所述第一电流电路的输出端、第二电流电路的输出端和电阻均与缓冲器的正输入端连接，缓冲器的负输入端与缓冲器的输出端连接，缓冲器的输出端输出控制电压Vg，施加到MOS场效应管M1的栅极；所述控制电压Vg表示为：Vg＝b-aT，其中，T为环境温度，b为Vg的直流偏移量，a为控制电压Vg随温度的斜率。

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