台湾晶技股份有限公司彭子修获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾晶技股份有限公司申请的专利晶体振子封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113965184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111135274.8,技术领域涉及:H03H9/19;该发明授权晶体振子封装结构是由彭子修;郑莉慧;罗韋晨;林宗德设计研发完成,并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体振子封装结构在说明书摘要公布了:本发明公开一种晶体振子封装结构,其包括封装基座、谐振晶体片与顶盖。封装基座的顶部具有凹槽,封装基座的侧壁环绕凹槽。谐振晶体片包括边框区、U形连接区、谐振区与第一连接臂。U形连接区连接谐振区的边缘与边框区之间,U形连接区的凹口与互相垂直的两个内侧壁朝向谐振区,第一连接臂连接U形连接区与边框区之间,边框区设于封装基座的侧壁上。顶盖设于边框区上,以遮蔽凹槽、U形连接区、谐振区与第一连接臂。本发明形成U形连接区在边框区与谐振区之间,以避免外界机械性震动或瞬间冲击传递至谐振晶体片,并稳定谐振频率。
本发明授权晶体振子封装结构在权利要求书中公布了:1.一种晶体振子封装结构,其特征在于,包括: 一封装基座,其顶部具有一凹槽,所述封装基座的侧壁环绕所述凹槽; 一谐振晶体片,包括一边框区、至少一个U形连接区、一谐振区与至少一个第一连接臂,其中所述至少一个U形连接区连接所述谐振区的边缘与所述边框区之间,所述至少一个U形连接区的凹口与互相垂直的两个内侧壁朝向所述谐振区,所述至少一个第一连接臂连接所述至少一个U形连接区与所述边框区之间,所述边框区设于所述封装基座的所述侧壁上; 一顶盖,设于所述边框区上,以遮蔽所述凹槽、所述至少一个U形连接区、所述谐振区与所述至少一个第一连接臂; 一第一电极层,设于所述至少一个第一连接臂、所述至少一个U形连接区与所述谐振区的底面,所述第一电极层电性连接所述谐振区; 一第二电极层,设于所述至少一个第一连接臂、所述至少一个U形连接区与所述谐振区的顶面,所述第二电极层电性连接所述谐振区; 一第一密封环,设于所述封装基座的所述侧壁与所述边框区之间; 一第二密封环,设于所述边框区与所述顶盖之间;以及 多个导电接垫,设于所述封装基座的底面; 其中,所述至少一个U形连接区包括: 一第二连接臂,具有第一端与第二端,所述第一端连接所述谐振区的所述边缘; 一第三连接臂,具有第三端与第四端,所述第三端连接所述第二端,所述第三连接臂垂直连接所述第二连接臂;以及 一第四连接臂,具有第五端与第六端,所述第五端连接所述第四端,所述第六端连接所述第一连接臂,所述第四连接臂垂直连接所述第三连接臂与所述第一连接臂,所述凹口位于所述第二连接臂与所述第四连接臂之间,所述第三连接臂与所述第四连接臂具有朝向所述谐振区的内侧壁,所述第四连接臂与所述谐振区重叠一区域,所述区域位于一第一直线与一第二直线之间,所述第一直线平行所述第二直线,所述第一直线重叠所述谐振区的所述边缘,所述第二直线重叠所述第一连接臂远离所述第四连接臂的侧边。
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