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龙图腾网获悉广微集成技术(深圳)有限公司申请的专利肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111472098.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权肖特基二极管及其制备方法是由单亚东;谢刚;胡丹设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括衬底；中间层，设于衬底的上侧，中间层包括自下向上依次层叠设置的外延层和氧化层，中间层上开设有上下延伸的沟槽，沟槽延伸至外延层内部；栅氧化层，设于沟槽的内侧壁，并在沟槽内限定出通道；多晶硅层，设于通道内，包括自下向上依次叠设的第一多晶硅层和第二多晶硅层，第一多晶硅层和第二多晶硅层其中之一为高阻多晶硅层，其中另一为低阻多晶硅层，高阻多晶硅层的电阻大于低阻多晶硅层的电阻；以及势垒金属层，设于氧化层的上侧，且覆盖沟槽的槽口设置。本发明提出的肖特基二极管，通过高阻多晶硅层和低阻多晶硅层，能够明显降低导通压降。

本发明授权肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括： 衬底； 中间层，设于所述衬底的上侧，所述中间层包括自下向上依次层叠设置的外延层和氧化层，所述中间层上开设有上下延伸的沟槽，所述沟槽延伸至所述外延层内部； 栅氧化层，设于所述沟槽的内侧壁，并在所述沟槽内限定出通道； 多晶硅层，设于所述通道内，包括自下向上依次叠设的第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层其中之一为高阻多晶硅层，其中另一为低阻多晶硅层，所述高阻多晶硅层的电阻大于所述低阻多晶硅层的电阻；以及， 势垒金属层，设于所述氧化层的上侧，且覆盖所述沟槽的槽口设置； 所述多晶硅层设置有多个，多个所述多晶硅层沿上下向依次层叠设置；多晶硅层的上表面与所述中间层的上表面平齐设置； 所述氧化层的厚度为 所述高阻多晶硅层的电阻大于106Ω；和或， 所述低阻多晶硅层的电阻为0.001～9Ω；和或， 所述第一多晶硅层为高阻多晶硅层，所述第二多晶硅层为低阻多晶硅层。

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