中芯南方集成电路制造有限公司张海获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010743331.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法是由张海;杨晓松;吴怡旻设计研发完成，并于2020-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有光阻层；在所述光阻层中形成若干第一沟槽；在剩余光阻层中形成若干第二沟槽。本申请所述的基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法，在形成所述第一沟槽后，虚拟填充所述第一沟槽，然而再形成所述第二沟槽，避开禁止在同一膜层连续进行两次相同的工艺的设计规则，在光阻层中形成包括第一沟槽和第二沟槽的光栅结构，用于进行DBO测量。
本发明授权基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法在权利要求书中公布了：1.基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有光阻层； 在所述光阻层中形成若干第一沟槽； 在所述若干第一沟槽中形成虚拟填充层，所述虚拟填充层在实际结构中不存在； 在剩余光阻层中形成若干第二沟槽，所述剩余光阻层被所述若干第二沟槽分为第一光阻层和第二光阻层，所述第二沟槽与所述第一沟槽的宽度不同； 去除所述虚拟填充层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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