昆山国显光电有限公司乔盼盼获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山国显光电有限公司申请的专利一种发光测试控制电路以及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111328720.7，技术领域涉及：H10D89/00；该发明授权一种发光测试控制电路以及显示面板是由乔盼盼;高琳华;何国冰;马志丽;朱正勇设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光测试控制电路以及显示面板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光测试控制电路以及显示面板，该发光测试控制电路包括：晶体管以及与晶体管对应设置的静电泄放单元，晶体管包括第一极、第二极和第三极；静电泄放单元包括半导体电阻层和离子注入阻挡层的叠层，离子注入阻挡层用于阻止离子注入至半导体电阻层内，半导体电阻层用于电连接第三极和第一极。本发明实施例提供的技术方案，提高了发光测试控制电路的温度稳定性。
本发明授权一种发光测试控制电路以及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种发光测试控制电路，其特征在于，包括： 晶体管以及与所述晶体管对应连接的静电泄放单元，所述晶体管包括第一极、第二极和第三极； 静电泄放单元包括半导体电阻层和离子注入阻挡层的叠层，所述离子注入阻挡层用于阻止离子注入至所述半导体电阻层内，所述半导体电阻层用于连接所述第三极和所述第一极； 所述晶体管还包括半导体有源层，所述半导体电阻层和所述半导体有源层位于同一层，所述离子注入阻挡层用于阻挡所述半导体有源层掺杂的离子注入至所述半导体电阻层内； 所述静电泄放单元还包括绝缘间隔层，所述绝缘间隔层位于所述半导体电阻层和离子注入阻挡层之间； 所述离子注入阻挡层包括导电层；所述离子注入阻挡层用于通过所述导电层的导电连接端输入电位控制信号；所述电位控制信号用于根据所述电位控制信号的电压大小和极性调整所述半导体电阻层、所述绝缘间隔层和所述离子注入阻挡层构成的电容值，进而调整所述半导体电阻层的电位，来增大所述第三极和所述第一极之间的等效电阻。
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