三星电子株式会社崔贤根获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110829327.X，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权半导体存储器件是由崔贤根;文钟淏;俞瀚植;李基硕;张诚桓;郑承宰;郑义撤;安泰炫;韩相然;黄有商设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件在说明书摘要公布了：半导体存储器件可以包括：外围电路结构，该外围电路结构包括在第一区域中集成在半导体衬底上的外围电路和设置在第二区域中的第一键区；堆叠，提供在外围电路结构的第一区域上，该堆叠包括在第一方向上延伸并垂直地堆叠的多条第一导电线；覆盖该堆叠的上绝缘层；提供在上绝缘层上的互连层；穿透插塞，与堆叠间隔开，并且被提供为穿透上绝缘层以将互连层连接到外围电路结构的外围电路；模制结构，提供在外围电路结构的第二区域上，并且在第一方向上与堆叠间隔开；以及穿透结构，提供为穿透模制结构并与第一键区垂直地重叠。
本发明授权半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 外围电路结构，包括在第一区域中集成在半导体衬底上的外围电路和设置在第二区域中的第一键区， 堆叠，提供在所述外围电路结构的所述第一区域上，所述堆叠包括在第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第三方向上垂直地堆叠的多条第一导电线； 覆盖所述堆叠的上绝缘层； 提供在所述上绝缘层上的互连层； 穿透插塞，与所述堆叠间隔开，并且被提供为穿透所述上绝缘层以将所述互连层连接到所述外围电路结构的所述外围电路； 模制结构，提供在所述外围电路结构的所述第二区域上，并且在所述第一方向上与所述堆叠间隔开；以及 穿透结构，提供为穿透所述模制结构并与所述第一键区垂直地重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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