江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利高质量半导体外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111427469.X，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权高质量半导体外延片及其制备方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本高质量半导体外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高质量半导体外延片及其制备方法。所述制备方法包括：提供包含均匀分散纳米材料的III族金属有机源混合前驱体，并涂覆于衬底上得到III族金属有机源混合前驱体涂覆层，之后进行退火重结晶得到应力释放缓冲层；再生长形成半导体外延结构，制得高质量半导体外延片。本发明在衬底上制备金属有机源涂覆层，同时结合MOCVD反应腔退火重结晶，纳米材料分散的金属有机源涂覆层逐步形成两种晶核分布提供成核中心，外延层应力逐步释放，加强侧向外延生长，抑制外延层位错密度延伸，降低缺陷密度，提高量子阱发光层生长质量，改善漏电性能和发光效率，同时提高发光波长均匀性，可满足适用于Micro‑LED外延均匀性能要求。
本发明授权高质量半导体外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量半导体外延片的制备方法，其特征在于，包括： 将纳米材料与III族金属有机源均匀混合，并于5～40℃超声处理10～60min，得到包含均匀分散纳米材料的III族金属有机源混合前驱体； 将所述III族金属有机源混合前驱体涂覆于衬底1上，得到III族金属有机源混合前驱体涂覆层，之后将具有III族金属有机源混合前驱体涂覆层的衬底置于MOCVD反应腔室中，通入III族金属有机源，使所述反应腔室升温至500～1200℃，在V族元素源和还原性气体的混合气氛中进行退火重结晶，从而形成均匀分布的纳米材料和III-V族化合物纳米生长结构，得到应力释放缓冲层2； 在所述应力释放缓冲层2上生长形成半导体外延结构，制得高质量半导体外延片。
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