上海丽恒光微电子科技有限公司杨天伦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海丽恒光微电子科技有限公司申请的专利一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010954547.0，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法是由杨天伦;李明霞设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法，硬掩模刻蚀图形的方法一次光刻工艺，两次或者三次刻蚀工艺完成了硬掩模刻蚀图形，同时形成了双台阶的刻蚀图形，减少了下切现象的产生，缓解了刻蚀侧壁的内应力，提高了台阶区域的导电能力，并减少后续在台阶上填充物质时产生的填充缺陷，提高了器件在后续工艺中的良率，以及器件的性能。并通过以图形化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述第二开口处的硬掩模层，可以形成台阶状的硬掩模层，降低了硬掩模层断裂的现象。
本发明授权一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硬掩模刻蚀图形的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，所述衬底包括基底和形成于所述基底上的导电材料层； 在所述衬底上依次形成硬掩模层和图形化的光刻胶层，所述光刻胶层具有第一开口； 以图形化的所述光刻胶层为掩模，通过等离子干法刻蚀工艺刻蚀所述第一开口处的硬掩模层，并刻蚀停止在所述硬掩模层中，使得所述第一开口处的硬掩模层上出现残留物膜层； 执行清洁工艺，通过对所述硬掩模层的表面通入氧气或氧气电浆等离子体，去除所述硬掩模层的表面的残留物膜层，同时通过灰化作用扩大了所述第一开口的尺寸，以形成第二开口； 以图形化的所述光刻胶层为掩模，通过等离子干法刻蚀工艺刻蚀所述第二开口处的硬掩模层，直至暴露出所述第二开口处的部分所述导电材料层，使得所述第二开口处的硬掩模层呈台阶状； 以图形化的所述光刻胶层为掩模，进一步刻蚀所述第二开口处的硬掩模层以及暴露出的所述导电材料层，并刻蚀停止在所述导电材料层中，以形成图形化的硬掩模层和双台阶的导电材料层，从而形成双台阶的衬底。
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