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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111496045.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构是由杜茂华设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构，该方法包括：分别提供缓冲芯片以及多组存储器芯片，每组存储器芯片均包括第一存储器芯片和第二存储器芯片；其中，缓冲芯片设置有多个第一导电通孔，第一存储器芯片和第二存储器芯片均设置有与多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通孔；分别将每组存储器芯片中的第一存储器芯片与第二存储器芯片进行混合键合，形成多个存储器微模组；依次将多个所述存储器微模组绝缘堆叠设置在缓冲芯片上；形成塑封层，塑封层包裹多个存储器微模组和缓冲芯片。采用双芯片进行混合键合构成存储器微模组，可以实现超多层芯片堆叠，提高生产效率，实现键合高度下降，芯片层数大大增加，容量增加。

本发明授权一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法，其特征在于，所述方法包括： 分别提供缓冲芯片以及多组存储器芯片，每组所述存储器芯片均包括第一存储器芯片和第二存储器芯片；其中，所述缓冲芯片设置有多个第一导电通孔，所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片均设置有与所述多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通孔；其中，所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片的类型相同； 分别将每组所述存储器芯片中的所述第一存储器芯片与所述第二存储器芯片进行晶圆级混合键合，形成多个存储器微模组，在每组所述存储器芯片中，所述第一存储器芯片靠近所述缓冲芯片设置，所述第二存储器芯片背离所述缓冲芯片设置，并且，所述第一存储器芯片的厚度小于所述第二存储器芯片的厚度，其中，所述第一存储器芯片的背面能够减薄到极限； 依次将多个所述存储器微模组绝缘堆叠设置在所述缓冲芯片上，其中，在相邻两个所述存储器微模组之间设置非导电胶膜； 形成塑封层，所述塑封层包裹所述多个存储器微模组和所述缓冲芯片。

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