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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203913B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111518420.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触及其制备方法是由李昀;郝紫千;王恒远;姜赛;施毅设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触及其制备方法，顺序地在SiO2Si衬底上生长一层聚合物介电层和两层不同的超薄半导体光响应层，其中上层超薄半导体光响应功能层半覆盖在下层超薄半导体光响应层上形成非对称异质结，然后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜分别转移到下层和上层半导体光响应功能层上作为源极和漏极，完成具有选择性探测功能的自供电人造光电突触的制备。本发明的具有选择性探测功能的自供电光电突触通过耦合光伏效应和界面电荷捕获行为，可以实现在不加任何电压的情况下选择性地探测并处理紫外光，同时在加电压的情况下具有宽谱探测的能力，可以模拟视网膜的感知以及信号处理功能。

本发明授权一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以SiO2Si作为衬底，接着依次用丙酮、异丙醇和去离子水超声清洗衬底，然后顺序地生长一层聚合物介电层和两层超薄的不同材料组成的半导体光响应层，其中上层超薄半导体光响应功能层半覆盖在下层超薄半导体光响应层，最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜分别转移到下层和上层半导体光响应功能层上作为源极和漏极，完成具有选择性探测功能的自供电人造光电突触的制备； 所述上层超薄半导体光响应功能层为n型半导体，下层超薄半导体光响应功能层为p型半导体；两层超薄半导体光响应功能层形成非对称异质结；所述下层超薄半导体光响应功能层的费米能级高于上层超薄半导体光响应功能层的费米能级，同时两层半导体光响应功能材料形成type-Ⅱ型能带对准；所述下层超薄半导体层仅对紫外光有响应；所述上层超薄半导体光响应功能层对包含紫外光在内的大于等于两种颜色光有响应； 聚合物介电层为一层厚度为2~3nm的聚甲基丙烯酸甲酯；上层超薄半导体光响应功能层为一层厚度为4~6nm的二辛基苯并噻吩苯并噻吩，下层超薄半导体光响应层为一层厚度为10~12nm的全氟酞菁铜； 所述聚合物介电层具有界面电荷捕获效应，所述非对称异质结在光照下能够产生典型的光伏效应，两种效应同时作用使得所述光电突触在不外加任何电压的情况下实现紫外光可调的突触行为。

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