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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利一种移相器的矢量合成结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114244315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111575526.9，技术领域涉及：H03H11/16；该发明授权一种移相器的矢量合成结构是由黄光锐;宣凯;郭嘉帅设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种移相器的矢量合成结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种移相器的矢量合成结构，包括：第一矢量合成支路和第二矢量合成支路；其中，所述第一矢量合成支路包括：第一尾电流源、第一DAC偏置电路、以及第一栅宽控制电路，所述第一尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第一尾电流单元，所述第一DAC偏置电路对应设置有多个第一电流镜偏置单元；所述第二矢量合成支路包括：第二尾电流源、第二DAC偏置电路、以及第二栅宽控制电路，所述第二尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第二尾电流单元，所述第二DAC偏置电路对应设置有多个第二电流镜偏置单元，本发明在保证移相精度的同时，能提高有源移相器的线性度。

本发明授权一种移相器的矢量合成结构在权利要求书中公布了：1.一种移相器的矢量合成结构，其特征在于，包括：第一矢量合成支路和第二矢量合成支路；其中， 所述第一矢量合成支路包括：第一尾电流源、第一DAC偏置电路、以及第一栅宽控制电路，所述第一尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第一尾电流单元，所述第一DAC偏置电路对应设置有多个第一电流镜偏置单元； 所述第二矢量合成支路包括：第二尾电流源、第二DAC偏置电路、以及第二栅宽控制电路，所述第二尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第二尾电流单元，所述第二DAC偏置电路对应设置有多个第二电流镜偏置单元； 每个所述第一尾电流单元包括：第一一MOS管、第一二MOS管、以及第一三MOS管，其中，第一一MOS管、第一二MOS管的栅极分别通过第一开关、第二开关连接至所述第一DAC偏置电路的第一端口，第一一MOS管、第一二MOS管的源极相连并连接至所述第一三MOS管的漏极，所述第一三MOS管的栅极连接至所述第一DAC偏置电路的第二端口，所述第一三MOS管的源极接地设置； 每个所述第二尾电流单元包括：第二一MOS管、第二二MOS管、以及第二三MOS管，其中，第二一MOS管、第二二MOS管的栅极分别通过第三开关、第四开关连接至所述第二DAC偏置电路的第三端口，第二一MOS管、第二二MOS管的源极相连并连接至所述第二三MOS管的漏极，所述第二三MOS管的栅极连接至所述第二DAC偏置电路的第四端口，所述第二三MOS管的源极接地设置； 所述第一尾电流源中多个第一尾电流单元的宽长比从到以二进制的形式递增，所述第二尾电流源中多个第二尾电流单元的宽长比从到以二进制的形式递增。

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