上海微阱电子科技有限公司李梦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微阱电子科技有限公司申请的专利一种大尺寸芯片设计版图结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114256209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111555776.6,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权一种大尺寸芯片设计版图结构是由李梦设计研发完成,并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸芯片设计版图结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种大尺寸芯片设计版图结构,所述结构包括:多个拼接模块,所述每个拼接模块小于或等于光刻机的最大曝光视场;遮光带,设置在任意相邻的两个所述拼接模块的拼接位置;切割道,位于所述拼接模块中除了所述拼接位置之外的边缘位置。另外,所述结构还包括键合对准标记,置于所述切割道中;辅助标记,置于所述切割道中,且位于所述键合对准标记的邻近位置。所述辅助标记为具有方向性的标记。当光刻曝光视场中出现多个键合对准标记时,利用具有方向性的辅助标记可以准确地识别应该用哪个对准标记来对准,提高晶圆键合的对准精度。
本发明授权一种大尺寸芯片设计版图结构在权利要求书中公布了:1.一种大尺寸芯片设计版图结构,其特征在于,所述结构包括: 多个拼接模块,每个所述拼接模块小于或等于光刻机的最大曝光视场; 遮光带,设置在任意相邻的两个所述拼接模块的拼接位置; 切割道,位于所述拼接模块中除了所述拼接位置之外的边缘位置; 键合对准标记,置于所述切割道中; 辅助标记,置于所述切割道中,且位于所述键合对准标记的邻近位置,所述辅助标记为具有方向性的标记; 所述辅助标记与所述键合对准标记在同一个光刻机曝光视场中。
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