南亚科技股份有限公司杨吴德获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334900B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111133991.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构是由杨吴德设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构包括基板、芯片、第一边缘垫、第一中央垫、第二边缘垫以及第二中央垫。基板具有第一表面与在基板上延伸的导电迹线。芯片位于该基板的该第一表面上。芯片具有侧壁、中央区及位于中央区与侧壁之间的边缘区。第一边缘垫位于芯片的边缘区上。第一中央垫位于芯片的中央区上，且电性连接至第一边缘垫。第二边缘垫位于芯片的边缘区上。第一边缘垫与芯片的侧壁之间的距离实质上小于第二边缘垫与芯片的侧壁之间的距离。第二中央垫位于芯片的中央区上，且电性连接至第二边缘垫。借此，本揭露的半导体结构，可以降低电容，从而改善半导体结构的输出信号。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 基板，具有第一表面与在该基板上延伸的导电迹线； 芯片，位于该基板的该第一表面上，其中该芯片具有侧壁、中央区及位于该中央区与该侧壁之间的边缘区； 第一边缘垫，位于该芯片的该边缘区上； 第一中央垫，位于该芯片的该中央区上，且电性连接至该第一边缘垫； 第二边缘垫，位于该芯片的该边缘区上，其中该第一边缘垫与该芯片的该侧壁之间的距离实质上小于该第二边缘垫与该芯片的该侧壁之间的距离； 第二中央垫，位于该芯片的该中央区上，且电性连接至该第二边缘垫； 第一接合线，电性连接该基板与该第一边缘垫之间，且该第一接合线实体接触该第一边缘垫；以及 第二接合线，电性连接该基板与该第二边缘垫之间，且该第二接合线实体接触该第二边缘垫。
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