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龙图腾网获悉AMS有限公司申请的专利衬底通孔及制造衬底通孔的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080061616.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权衬底通孔及制造衬底通孔的方法是由乔治·帕特德尔;约亨·克拉夫特;斯蒂芬·杰森尼戈设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本衬底通孔及制造衬底通孔的方法在说明书摘要公布了：一种开放式衬底通孔1TSV包括绝缘层20，该绝缘层与沟槽14的侧壁15的至少部分以及与衬底主体10的表面13相邻设置。TSV还包括：金属化层30，其与绝缘层20的至少部分以及与所述沟槽14的底壁16的至少部分相邻设置；再分布层40，其与金属化层30的至少部分以及与绝缘层20的与表面13相邻设置的部分相邻设置；以及覆盖层50，其与金属化层30的至少部分以及与再分布层40的至少部分相邻设置。绝缘层20和或覆盖层50包括在材料特性方面彼此不同的子层21、22、51、52。子层中的第一层21、51与侧壁15的至少部分以及与表面13的至少部分相邻设置，并且子层中的第二层22、52与表面13的至少部分相邻设置。

本发明授权衬底通孔及制造衬底通孔的方法在权利要求书中公布了：1.一种开放式衬底通孔1TSV，所述衬底通孔1包括 -基本上平坦的衬底主体10，其包括半导体部分11和与所述半导体部分11相邻设置的层间电介质部分12，所述半导体部分11具有表面13； -沟槽14，其从所述表面13延伸至少穿过半导体部分11，所述沟槽14的特征在于侧壁15和底壁16； -绝缘层20，其与所述侧壁15的至少部分和所述表面13相邻设置； -金属化层30，其与所述绝缘层20的至少部分以及所述底壁16的至少部分相邻设置； -再分布层40，其与所述金属化层30的至少部分相邻设置，并且与绝缘层20的与所述表面13相邻设置的部分相邻设置；以及 -覆盖层50，其与所述金属化层30的至少部分以及所述再分布层40的至少部分相邻设置；其中 -所述覆盖层50包括在材料特性方面彼此不同的第一覆盖子层51和第二覆盖子层52； -所述第一覆盖子层51与所述侧壁15的至少部分以及与所述表面13的至少部分相邻设置； -所述第二覆盖子层52与所述表面13的至少部分相邻设置； -所述第一覆盖子层51具有拉伸型或压缩型的内应力；以及 -所述第二覆盖子层52具有与所述第一覆盖子层51相应其他类型或相同类型但不同大小的内应力。

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