青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司史仁先获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司申请的专利芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110289994.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权芯片及其制作方法是由史仁先;王国峰设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了芯片及其制作方法，所述芯片包括依次堆叠设置的硅片、外延层和势垒层，所述硅片的其中一面上设有沟槽，所述外延层和势垒层设置在所述硅片中设有沟槽的一面上，且覆盖所述沟槽；所述势垒层、势垒层正下方的外延层形成势垒区。本申请通过在硅片的表面设置沟槽，使得势垒区的面积增大，进而使得势垒区可以承受的电流密度增加，导致芯片的正向压降降低，这样在相同的芯片尺寸下，本申请由于正向压降较低就有了明显的优势，使得产品竞争力得到了提高。
本发明授权芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括： 硅片，所述硅片的其中一面上设有沟槽； 外延层，设置在所述硅片中设有沟槽的一面上，且覆盖所述沟槽，所述外延层部分沉积在沟槽中，所述沟槽的深度不超过所述外延层的厚度；以及 势垒层，设置在所述外延层上，且覆盖所述沟槽； 其中，所述势垒层、势垒层正下方的外延层形成势垒区； 所述外延层的顶部平齐，所述沟槽的深度为1-5um。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司，其通讯地址为：266200 山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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