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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种单晶FBAR压电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114362704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111442142.X，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种单晶FBAR压电薄膜及其制备方法是由董树荣;轩伟鹏;刘刚;金浩;高峰;骆季奎设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶FBAR压电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种空腔薄膜体声波谐振器，包括第一衬底、键合层、不透明介质层、压电振荡堆和金属pad层；其中，第一衬底上形成键合层，键合层上形成不透明介质层，不透明介质层上形成压电振荡堆，不透明介质层与压电振荡堆之间具有空腔，金属pad层与压电振荡堆相连。该谐振器表面粗糙度较低，同时该薄膜各区域厚度能够被较为方便和准确的测量。本发明还公开了一种空腔薄膜体声波谐振器的制备方法，该制备方法节省制备工序，简单、高效。

本发明授权一种单晶FBAR压电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括第一衬底、键合层、不透明介质层、压电振荡堆和金属pad层； 其中，第一衬底上形成键合层，键合层上形成不透明介质层，不透明介质层上形成压电振荡堆，不透明介质层与压电振荡堆之间具有空腔，金属pad层位于压电振荡堆上； 所述的空腔薄膜体声波谐振器的制备方法，包括： 1选取带有剥离层的第二衬底，在第二衬底表面制备单晶压电薄膜，在单晶压电薄膜表面施加第一电极，在第一电极表面制备牺牲层，在牺牲层表面制备不透明介质层，在不透明介质层表面制备键合层，在键合层表面键合第一衬底； 2第一次激光辐照剥离层，将带有剥离层的第二衬底从单晶压电薄膜中剥离，采用干法刻蚀单晶压电薄膜表面的残余剥离层，然后将干法刻蚀后的残余剥离层进行第二次激光辐射得到表面粗糙度为0.5nm以下的单晶压电薄膜； 3在步骤2中得到的单晶压电薄膜内设有第一通孔和第二通孔，向第一通孔内施加第一金属pad层，使得第一金属pad层位于第一电极上，向第二通孔内加入腐蚀溶液，采用熏蒸方法去除牺牲层形成一空腔，在步骤2中得到的单晶压电薄膜表面施加第二电极层，在第二电极层表面沉积第二金属pad层获得空腔型薄膜体声波谐振器。

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