格芯新加坡私人有限公司文凤雄获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利多层衬底上的半导体晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111005028.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权多层衬底上的半导体晶体管是由文凤雄设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本多层衬底上的半导体晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及多层衬底上的半导体晶体管。提供了一种半导体器件，其包括多层衬底、第一掺杂区、第二掺杂区以及栅极结构。该多层衬底具有位于隔离层之上的器件层，并且器件层包括具有第一衬底厚度的第一区域和具有小于第一衬底厚度的第二衬底厚度的第二区域。第一掺杂区位于第一区域中并且第二掺杂区位于第二区域中。栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间。
本发明授权多层衬底上的半导体晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 多层衬底，其具有位于隔离层之上的器件层，所述器件层包括具有第一衬底厚度的第一区域和具有小于所述第一衬底厚度的第二衬底厚度的第二区域； 第一掺杂区，其位于所述第一区域中； 第二掺杂区，其位于所述第二区域中；以及 栅极结构，其位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间，其中，所述栅极结构的顶表面是平面的，并且其中，所述栅极结构位于所述器件层的所述第一区域上方且与所述器件层的所述第二区域间隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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