上海新硅聚合半导体有限公司欧欣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114448372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111508853.2，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器是由欧欣;李忠旭;黄凯设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器。包括：提供薄膜转移衬底，所述薄膜转移衬底具有相对的第一表面和第二表面；对所述薄膜转移衬底进行离子注入，以在所述薄膜转移衬底内形成注入损伤层；所述离子注入的方向为自所述第一表面至所述第二表面；提供支撑衬底，所述支撑衬底具有相对的第三表面和第四表面；将所述支撑衬底的所述第三表面与所述薄膜转移衬底的所述第一表面键合，得到键合衬底；对所述键合衬底进行热处理，在所述热处理过程中对所述键合衬底施加预设大小的形变限制压力，以使所述键合衬底沿所述注入损伤层进行剥离，得到所述异质薄膜衬底。本申请通过预设大小的形变限制压力，保证键合衬底在剥离时，转移薄膜层的完整性。
本发明授权一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器在权利要求书中公布了：1.一种异质薄膜衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供薄膜转移衬底1，所述薄膜转移衬底1具有相对的第一表面和第二表面； 对所述薄膜转移衬底1进行离子注入，以在所述薄膜转移衬底1内形成注入损伤层11；所述离子注入的方向为自所述第一表面至所述第二表面； 提供支撑衬底2，所述支撑衬底2具有相对的第三表面和第四表面； 将所述支撑衬底2的所述第三表面与所述薄膜转移衬底1的所述第一表面键合，得到键合衬底； 对所述键合衬底进行热处理，至所述热处理的温度达到所述键合衬底的剥离温度； 在所述热处理过程中对所述键合衬底施加预设大小的形变限制压力，所述形变限制压力的方向为沿键合衬底厚度方向和或沿键合衬底四周方向，以使所述键合衬底能够沿所述注入损伤层11进行完整剥离，得到所述异质薄膜衬底。
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